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GaN成AI服務器電源芯片競爭焦點，未來應用潛力巨大
- 據相關報道，隨著NVIDIA宣布AI服務器進入800V高電壓供電時代，功率半導體領域迎來了新的技術競爭。氮化鎵（GaN）作為寬能隙半導體的重要代表，正成為市場關注的核心。近年來，多家企業(yè)積極投入GaN技術的研發(fā)，使其應用范圍從傳統(tǒng)的消費性市場逐步拓展到高電壓場景。盡管GaN目前在快速充電領域仍占據主導地位，但其在車用功率模塊和AI服務器中的表現也日益受到重視。部分廠商甚至已開發(fā)出適用于1,000V以上環(huán)境的GaN技術，展現出廣闊的應用前景。歐系廠商指出，GaN相比碳化硅（SiC）更易于與傳統(tǒng)矽材料整合，這
- 關鍵字： GaN AI服務器 電源芯片
Power Integrations發(fā)布新技術白皮書，深度解讀適用于下一代800VDC AI 數據中心的1250V和1700V PowiGaN技術
- 深耕于高壓集成電路高能效功率轉換領域的知名公司Power Integrations近日發(fā)布一份新的技術白皮書，詳解其PowiGaN?氮化鎵技術能為下一代AI數據中心帶來的顯著優(yōu)勢。這份白皮書發(fā)布于圣何塞舉行的2025年開放計算項目全球峰會(2025 OCP Global Summit)，其中介紹了1250V和1700V PowiGaN技術適用于800VDC供電架構的功能特性。峰會上，NVIDIA還就800VDC架構的最新進展進行了說明。Power Integrations正與NVIDIA合作，加速推動向8
- 關鍵字： Power Integrations 數據中心 GaN
納芯微攜手聯合電子與英諾賽科，共創(chuàng)新能源汽車功率電子新格局
- 2025年9月29日，蘇州納芯微電子股份有限公司（以下簡稱：納芯微）、聯合汽車電子有限公司（以下簡稱：聯合電子）與英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（以下簡稱：英諾賽科）共同簽署戰(zhàn)略合作協議。三方將聚焦新能源汽車功率電子系統(tǒng)，聯合研發(fā)智能集成氮化鎵（GaN）相關產品。全新開發(fā)的智能GaN產品將依托三方技術積淀，提供更可靠的驅動及GaN保護集成方案，進一步提升系統(tǒng)功率密度。三方還將協同推動相關解決方案的產業(yè)化落地，助力新能源汽車產業(yè)的可持續(xù)發(fā)展與價值提升。簽約儀式現場合影見證代表：圖中：聯合電子副總經理 郭曉
- 關鍵字： 納芯微 聯合電子 英諾賽科 汽車功率電子 GaN
技術干貨 | 采用 GaN 的 Cyclo 轉換器如何幫助優(yōu)化微型逆變器和便攜式電源設計
- 摘要微型逆變器和便攜式電源的普及度持續(xù)增長，部分原因是人們對更具可持續(xù)性且靈活的電源解決方案的需求不斷增加。隨著最近推出陽臺型逆變器（該產品將微型逆變器與小型電池儲能系統(tǒng)結合在一起），這兩種技術的普及率可能會進一步提升。本技術文章概述了一種新型單級轉換器（稱為“cyclo 轉換器”），它使微型逆變器和便攜式電源的實施更加高效，體積更小，同時還降低了成本。簡介微型逆變器中的功率轉換系統(tǒng)通常采用兩級式設計，如圖 1 所示。圖 1：微型逆變器兩級拓撲在這種方案中，首先是一個直流/直流級（反激式或推挽式升壓級），
- 關鍵字： 202509 德州儀器 GaN Cyclo 微型逆變器 便攜式電源
無需鉗位電路實現動態(tài)導通電阻RDS(on)的測量技術
- _____動態(tài)導通電阻（RDS(on)）是電源轉換器設計人員理解電荷俘獲效應影響的重要參數。然而，關于其測量技術的知識體系仍相對較新。傳統(tǒng)的動態(tài)RDS(on)測量技術依賴于二極管鉗位電路，使示波器能夠以足夠的分辨率測量漏源電壓，而不會使示波器輸入過載。泰克為4、5和6系列MSO示波器推出的寬禁帶雙脈沖測試（WBG-DPT）測量軟件引入了一種新的軟件鉗位方法，采用獨特的雙探頭技術，無需使用鉗位電路。測量動態(tài)RDS(on)的挑戰(zhàn)動態(tài)RDS(on)是指FET在開關過程中導通時，漏極與源極端子之間的平均電阻。漏源
- 關鍵字： 動態(tài)導通電阻 RDS(on)測量 泰克 GaN Tektronix
GaN市場，蓄勢待發(fā)
- GaN 是近日半導體市場的熱點詞匯之一。
- 關鍵字： GaN
采用GaN的Cyclo轉換器如何幫助優(yōu)化微型逆變器和便攜式電源設計
- 1.簡介微型逆變器中的功率轉換系統(tǒng)通常采用兩級式設計，如圖 1-1 所示。圖1-1 微型逆變器兩級拓撲在這種方案中，首先是一個直流/直流級（反激式或推挽式升壓級），然后是另一個交流/直流級（自換向交流/直流或圖騰柱 PFC），將光伏電池板提供的直流電轉換為通常在 400VDC 左右的臨時直流總線。然后，根據國家或地區(qū)的電網情況，將直流總線轉換為交流電壓 (110VAC..230VAC)。功率級別過去通常在 300-400W 之間，但最近也出現了每個輸入功率高達 600W 以及多輸入系統(tǒng)的實施。微型逆變器傳
- 關鍵字： 2202509 GaN Cyclo轉換器 微型逆變器 便攜式電源設計 德州儀器
從IGBT到GaN：10kW串式逆變器設計的關鍵要點與性能優(yōu)勢解析
- 隨著全球對能源可持續(xù)性與安全性的關注升溫，住宅太陽能儲能系統(tǒng)需求持續(xù)攀升。當前市場上，2kW級微型逆變器已實現集成儲能功能，而更高功率場景則需依賴串式逆變器或混合串式逆變器。本文聚焦基于TI GaN FET的10kW單相串式逆變器設計，探討其技術優(yōu)勢與核心設計要點，為住宅太陽能應用提供高能效、高密度的解決方案參考。混合串式逆變器架構：從模塊到系統(tǒng)典型的混合串式逆變器通過穩(wěn)壓直流母線互聯各功能模塊（圖1），核心子系統(tǒng)包括：●單向DC/DC轉換器：執(zhí)行光伏最大功率點跟蹤（MPPT），優(yōu)化能量捕獲；●雙向DC/
- 關鍵字： TI IGBT GaN 串式逆變器
GaN如何讓光伏充電控制器更高效更小巧？TI給出答案
- 在光伏系統(tǒng)中，充電控制器的效率與體積直接影響太陽能利用率和安裝成本。傳統(tǒng)設計多采用MOSFET方案，而德州儀器（TI）推出的中壓GaN器件LMG2100，通過集成驅動與電源環(huán)路優(yōu)化，為光伏充電控制器帶來了效率、尺寸與成本的全面突破。電子電氣設備快速發(fā)展，需要提供的功率比以往任何時候都大得多。對于許多家庭來說，要縮減電費支出或助力實現綠色可持續(xù)的未來，太陽能都是不錯的選擇，而半導體在其中發(fā)揮著重要作用。適用于光伏應用的緊湊型高效電源轉換器既能幫助用戶減少室內占用面積，又能節(jié)省成本。氮化鎵 (GaN
- 關鍵字： TI GaN 光伏充電控制器
第三代半導體洗牌GaN躍居主角
- 拓墣產業(yè)研究院最新報告指出，第三代半導體產業(yè)競爭日益激烈，氮化鎵（GaN）功率元件憑借其高頻、高功率特性，在5G/6G基地臺、航空航天、AI運算等應用領域快速崛起。拓墣預估，2025年全球GaN功率半導體市場規(guī)模將達7.5億美元，年增率高達62.7%，至2030年將擴大至43.8億美元，年復合成長率（CAGR）達42.3%。GaN組件具備優(yōu)異電性能與高可靠性，除了主流通訊以及工業(yè)應用外，也加速滲透至智慧城市、無線充電與醫(yī)療設備等新興場景。隨中國大陸等地積極推動產業(yè)自主，全球GaN供應鏈本土化進程加速，各國
- 關鍵字： 第三代半導體 GaN 拓墣產業(yè)研究院 SiC
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